Какво представлява IGBT модулът?

Биполярният транзистор с IGBT изолирана порта е композитно, напълно контролирано полупроводниково захранващо напрежение устройство, съставено от BJT (биполярен транзистор) и MOS (транзистор с ефект на изолирана порта). Той има предимствата както на високия входен импеданс на MOSFET, така и на ниския спад на напрежението на GTR. Напрежението на насищане на GTR е намалено, а плътността на тока е висока, но задвижващият ток е относително голям. Мощността на задвижването на MOSFET е много малка, скоростта на превключване е бърза, но спадът на напрежението при включване е голям и плътността на носене на ток е малка. IGBT съчетава предимствата на горните две устройства, с ниска мощност на движение и намалено напрежение на насищане.